アイスモスは一つのチップ上で高耐圧部とコンポーネンツを分離するするなどといった誘電体分離技術を提供します。
隔離には厚い膜のSOIと高いアスペクト比の深いトレンチエッチおよび酸化膜とポリの埋め込み構造を使います。この技術には100－150㎜のウエハーサイズ、デバイスレイヤーは1.5-100umの厚みに適用可能です。
弊社のトレンチSOIは以下のような分野に使われております。
- MEMSデバイス
- ソリッドステートリレー光電発電機
- 太陽光発電セルと光電子デバイス・IC
- テレコム用の高耐圧アナログIC
- 高パフォーマンスバイポーラ回路
- スマートパワーIC
- 集積センサー
弊社のプロセスエンジニアがお客様のデザイングループと密に働き、お客様のプロセスの発展への実現化につなげます。
