しかしながら、シリコンがいまだ半導体技術の主素材である理由はなんでしょうか。製造のしやすさ、高い信頼性、低価格、そして継続的なイノベーションがあることに他なりません。

パワー半導体においても、原理的にブレークダウン電圧は主にシリコン素材のキャリアの濃度で決まり、オン抵抗にも直接関連します。パワー半導体のデバイス特性限界は理論的に予測され、”シリコンリミット”と呼ばれています。

しかしながらそのシリコンリミットを破るのがスーパージャンクション理論であり、高耐圧と低いオン抵抗を可能にしました。

アイスモス・テクノロジーのMEMS　MOSFETはスーパージャンクション構造を持つ高耐圧MOSFETです。シリコンのMOSFETとMEMSプロセスを融合させた技術でアイスモス・テクノロジーは世界中にベストインクラスの特性のデバイスをお届けいたします。

弊社のMEMS技術はMOSFETが歩んできた微細化技術とは別に、ユニークな製造プロセスとして開発されました。この二つのテクノロジーの融合によりMOSFETのパフォーマンスを高めることができました。

スーパージャンクションMOSFETの特長:

• 低いオン抵抗
• 超低ゲート電荷量
• 耐高dv/dt特性
• 高耐アバランシェ特性
• 耐高ピーク電流特性
• 増相互コンダクタンス特性

アプリケーション:

• 産業用電源、充電器
• IT ハードウエア : データセンター、サーバー、クラウド、ラップトップコンピュータ、タブレット機器
• 屋内外の電灯 : HID 電灯 、 LED電灯
• LED TV ドライバーや動力電源
• ソーラーインバーター等の再生エネルギー分野
• 電気自動車、ハイブリッド自動車、EV急速充電器

主なスーパージャンクションのご紹介:
弊社は様々な電圧レンジやパッケージをアプリケーションに応じてご提供します。

• 600V
• 650V
• 700V
• 730V
• TO220 (Non-Isolated)
• TO220 Fullpak (Isolated)
• TO247
• D2PAK / TO263
• DPAK / TO252
• I2PAK / TO262
• IPAK / TO251

アイスモス・テクノロジーのスーパージャンクション製品におけるPb Free（鉛フリー）マークの定義について：

弊社のデータシートに記載されているPb Free（鉛フリー）の定義は

製品に鉛を意図的に使用せず、製品を構成する各均質材料中、および最終成形製品について鉛の濃度が１０００ｐｐｍ（0.1wt%）

以下であること、と定義しております。

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