半導体デバイスを製造するお客様には、アイスモスのSilicon -Silicon張り合わせウエハーを従来の厚エピや反転エピなど、パワーデバイスやPiNダイオード用に従来つかわれていたような材料にとって代わる、費用対効果が高い材料として提供いたします。直接ウエハーをボンディングする技術を使うと、様々な単結晶シリコンを含むシリコン基板を作ることができます。これらの抵抗レンジは1mΩ-cm から 10kΩ-cmとなります。Nタイプや Pタイプの素材でオリエンテーション方向のアレンジもできますので、この特徴はエピウエハーでは成しえないものです。

アイスモスのSi Siウエハーは以下のような分野に応用されております。

アイスモスの SiSi 張り合わせプロセスは、リークが小さく、高品質で、ワープも小さく、低い欠陥密度となります。層の厚みのばらつきも+/-0.5um以下に抑える事ができます。高濃度から低濃度の遷移レベルもお客様のアプリケーションに応じて鋭く、もしくはソフトなどに調整ができます。