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英国宇宙機関はADSグループと協力し、アイスモス・テクノロジーに対し、放射線に耐性のあるパワーエレクトロニクスの発展に向けた名声ある資金のうちの30万ポンドを授与しました。

アイスモス・テクノロジーは、高電圧のスーパージャンクションMOSFETトランジスタの放射線に耐性のある開発を続け、英国の宇宙探査やサプライチェーンの優位性を前進させることにユニークな位置にあります。

同社は効率の良いデータセンターやEVファストチャージング、AI搭載のクラウドサービスの次世代商品を推進しています。

アリゾナ州パラダイスバレー、2023614 - アイスモス・テクノロジーコーポレーションは、英国宇宙機関とADSとの協力で、Space Technology Exploitation ProgrammeSTEP)を通じて、宇宙アプリケーション向けの新しいパワートランジスタをさらに開発するプロジェクトで受賞したことを発表しました。北アイルランドのベルファストにあるアイスモス・テクノロジーの製造拠点は、英国の宇宙探査とサプライチェーンの開発を加速させるために選ばれた3つの企業のうちの1つです。

アイスモスの開発プログラムは、高効率な高電力配電システムを用いた衛星のための放射線耐性のあるシリコンカーバイト埋め込み技術MOSFETを実現する  「Advanced Engineered Substrate」の提供に重点を置いており、それは、近地球軌道(LEO)、中間軌道(MEO)、深宇宙探査用のものです。厳しい宇宙放射線環境に対して頑強になるように調整できるワイドバンドギャップ(WBG)パワーMOSFETドレイン構造が結合されることで、新しいクラスの縦型パワートランジスタが生まれます。商業的な応用は、人々のエネルギーの節約に対する要求の増加に対応するために、AI搭載のクラウドサービスやデータセンター、電気自動車の急速充電ステーション、太陽光発電などのシステムを調整することを目的しています。

「今回の受賞により、アイスモス・テクノロジーは高電圧耐放射線トランジスタの劇的な改良を実現し、英国の宇宙計画の進歩を加速することができます。」 また、 「英国を代表する先進技術を開発するために選ばれた3社のうちの1社であることは光栄です。この先端技術によりコストを削減し、システム全体の性能を大幅に向上させることができます。」と、アイスモス・テクノロジーの創設者かつ会長であるサミュエル・J・アンダーソンは述べました。

「クリエイティブな才能と技術的な宇宙の専門知識は、英国全土に広がっています。アイルランド北部の成長する宇宙産業から素晴らしい例がこのプロジェクトで見られます。このプロジェクトは、投資を促進し、雇用を創出し、宇宙産業の新しい能力を開発することに役立ちます。」と英国宇宙庁のCEOであるポール・ベイト博士は語りました。

アイスモスの放射線耐性パワートランジスタは、シリコンカーバイド技術ドレイン基板を組み込んでいます。このWBG材料から得られる低オン抵抗性能を利用することで、電力エレクトロニクスから量子技術まで、幅広いアプリケーションに革新的な半導体製造技術を導入することができます。

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